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ON semiconductor 的新系列場(chǎng)截止第 4 代 IGBT 采用創(chuàng)新的場(chǎng)截止 IGBT 技術(shù)，為低傳導(dǎo)和切換損耗至關(guān)重要的太陽(yáng)能逆變器、UPS、焊機(jī)、電信、ESS 和 PFC 應(yīng)用提供最佳性能。

最大接點(diǎn)溫度：TJ = 175 °C
正溫度系數(shù)易于并行操作
高電流容量
低飽和電壓：VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 60 A
高輸入阻抗
快速切換
嚴(yán)格的參數(shù)分布
應(yīng)用
太陽(yáng)能逆變器、UPS、焊機(jī)、電信、ESS、PFC