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STMicroelectronics IGBT 采用先進(jìn)的專利場截止型溝槽柵極結(jié)構(gòu)開發(fā)方法。該器件屬于 H 系列絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，可在傳導(dǎo)和切換損耗之間實(shí)現(xiàn)最佳平衡，從而最大程度地提高高切換頻率轉(zhuǎn)換器的效率。此外，VCE(飽和) 溫度系數(shù)略微偏正且參數(shù)分布非常緊密，可讓并聯(lián)操作更安全。

最大接點(diǎn)溫度 TJ = 175 °C
短路耐受時(shí)間 5 μs
在 = 75 A 時(shí)，VCE(飽和) = 2.1 V（典型值）
參數(shù)分布緊密
正 VCE(飽和) 溫度系數(shù)
低熱阻
超快恢復(fù)反射并聯(lián)二極管