Vishay 的高效 IGBT 模塊隨附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技術選項。 該系列包括單開關、逆變器、斬波器、半橋或采用自定義配置。 這些 IGBT 模塊設計用于在開關模式電源、不間斷電源、工業焊接、電動機驅動和功率因數校正系統中作為主切換設備。
典型應用包括：升壓和降壓轉換器、正向和雙正向轉換器、半橋、全橋接（H 橋）和三相橋接。
廣泛的工業標準封裝類型
直接安裝在散熱器上
可選擇 PT、NPT 和 Trench IGBT 技術
低 VCE（開）IGBT
切換頻率從 1 kHz 到 150 kHz
堅固的瞬時性能
高隔離電壓高達 3500 V
100 % 不含鉛 (Pb) 且符合 RoHS
低熱阻
廣泛的工作溫度范圍（-40 °C 至 +175 °C）
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 7.2 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 600 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 封裝類型 | IMS-2 |
| 配置 | 共集電極 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 13 |
| 晶體管配置 | 3 相 |
| 尺寸 | 62.43 x 7.87 x 21.97mm |
