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Infineon IKP40N65F5 是 650 V 高速硬切換 IGBT ，與 Rapid si-diode 技術一起使用。它具有更高的功率密度設計和低 COES/EOSS。

因子 2.5 ，下 Qg
因素 2 減少切換損耗
VCEsat 降低 200mV