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onsemi FGP10N60UNDF IGBT

訂 貨 號(hào):FGP10N60UNDF      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

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onsemi FGP10N60UNDF IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

分離式 IGBT,F(xiàn)airchild Semiconductor

IGBT 分立件和模塊,F(xiàn)airchild Semiconductor

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 20 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 600 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 139 W
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
通道類型 N
引腳數(shù)目 3
晶體管配置
尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm
暫無

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