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STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT

訂 貨 號：STGB10NC60KDT4      品牌：Tronics

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STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

IGBT 分立件和模塊，STMicroelectronics

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 20 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 600 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 65 W
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
通道類型 N
引腳數(shù)目 3
開關(guān)速度 1MHz
晶體管配置 單
尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm
暫無

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