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Vishay VS-GT175DA120U IGBT

訂 貨 號(hào):VS-GT175DA120U      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

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Vishay VS-GT175DA120U IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

IGBT 模塊,Vishay

Vishay 的高效 IGBT 模塊隨附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技術(shù)選項(xiàng)。 該系列包括單開關(guān)、逆變器、斬波器、半橋或采用自定義配置。 這些 IGBT 模塊設(shè)計(jì)用于在開關(guān)模式電源、不間斷電源、工業(yè)焊接、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率因數(shù)校正系統(tǒng)中作為主切換設(shè)備。

典型應(yīng)用包括:升壓和降壓轉(zhuǎn)換器、正向和雙正向轉(zhuǎn)換器、半橋、全橋接(H 橋)和三相橋接。

廣泛的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝類型
直接安裝在散熱器上
可選擇 PT、NPT 和 Trench IGBT 技術(shù)
低 VCE(開)IGBT
切換頻率從 1 kHz 到 150 kHz
堅(jiān)固的瞬時(shí)性能
高隔離電壓高達(dá) 3500 V
100 % 不含鉛 (Pb) 且符合 RoHS
低熱阻
廣泛的工作溫度范圍(-40 °C 至 +175 °C)

IGBT 模塊,Vishay

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 288 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 1.09 kW
封裝類型 SOT-227
安裝類型 面板安裝
通道類型 N
引腳數(shù)目 4
開關(guān)速度 30kHz
晶體管配置
尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
暫無

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