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IGBT 分立件和模塊，F(xiàn)airchild Semiconductor

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱(chēng)。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。