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onsemi HGT1S10N120BNST IGBT

訂貨號：HGT1S10N120BNST 品牌：意法半導(dǎo)體_ST

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絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	80 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
最大功率耗散	298 W
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
通道類型	N
引腳數(shù)目	3
開關(guān)速度	1MHz
晶體管配置	單
尺寸	10.67 x 11.33 x 4.83mm

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