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onsemi NGTB15N60S1EG IGBT

訂貨號：NGTB15N60S1EG 品牌：安森美_Onsemi

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IGBT 分立，On Semiconductor

絕緣柵級雙極性晶體管 (IGBT)，用于電動機驅(qū)動器和其他高電流切換應(yīng)用。

IGBT 分立，On Semiconductor

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	30 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	600 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
最大功率耗散	117 W
封裝類型	TO-220
安裝類型	通孔
通道類型	N
引腳數(shù)目	3
晶體管配置	單
尺寸	10.28 x 4.82 x 15.75mm

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