the Infineon ex場 功率 mosfet 系列采用最新的處理技術(shù),可在每個硅面積上實(shí)現(xiàn)極低的接通電阻。此設(shè)計(jì)的其他特點(diǎn)包括 175°c 結(jié)點(diǎn)工作溫度、快速切換速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。這些功能相結(jié)合、使此設(shè)計(jì)成為極其高效和可靠的設(shè)備、適用于各種應(yīng)用。
先進(jìn)的工藝技術(shù)
超低接通電阻
快速切換
重復(fù)雪崩允許高達(dá) Tjmax
無導(dǎo)線
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 8.7 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.19. Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |