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Vishay SQ2309ES-T1_GE3 MOSFET

訂 貨 號:SQ2309ES-T1_GE3      品牌:威世_Vishay

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Vishay SQ2309ES-T1_GE3 MOSFET
產品詳細信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 MOSFET 是一種新時代的產品,漏極源電壓為 60V ,最大柵極源電壓為 20V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 15.5mohm 的漏 - 源電阻。它具有 50A 的連續漏極電流和 136W 的最大功耗。 此晶體管的最小和最大驅動電壓分別為 4.5V 和 10V。它可用于汽車應用。MOSFET 經優化可降低開關和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

特點和優勢

? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 175°C
?低熱阻封裝
? TrenchFET 功率 MOSFET

應用

?適配器開關
?負載開關

認證

? AEC-Q101
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
?經過 RG 測試
? UIS 測試


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 1.7 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TO-236
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.5 O
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.5V
每片芯片元件數目 1
暫無

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