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onsemi FCH22N60N MOSFET

訂 貨 號:FCH22N60N      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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onsemi FCH22N60N MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

SupreMOS? MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild 推出了新一代 600V 超級結(jié) MOSFET - SupreMOS?。
與 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和總柵極電荷讓品質(zhì)因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列為相同的 RDS(接通)提供低柵極電荷,提供極佳的切換性能,切換和傳導(dǎo)損耗降低 20%,從而獲得更高的效率。
這些特征讓電源符合用于臺式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黃金分類和用于服務(wù)器的白金分類。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 22 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 165 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 205 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 45 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
寬度 5.03mm
長度 15.95mm
暫無

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