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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SiDR392DP-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

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公司基本資料信息







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Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

TrenchFET? Gen IV power MOSFET
Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 100 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SO-8
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 900 μΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.2V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 125 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 +20 V、+6 V
最高工作溫度 +150 °C
寬度 5mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 125 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 5.99mm
暫無

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