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訂 貨 號(hào):TSM60NB260CI C0G 品牌:
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Taiwan Semiconductor 600V , 13A , 0。26Ω Ω , 3 引腳, N 溝道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強(qiáng)溝道模式。它通常用于電源和交流 / 直流 LED 照明應(yīng)用。
超接合技術(shù)
小品質(zhì)因數(shù)確保高性能
高堅(jiān)固性性能
高換向性能
經(jīng)過 100% UIL 測(cè)試
無鉛電鍍
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 IN
符合 WEEE 2002/96/EC
無鹵素,符合 IEC 61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
32.1W 最大功耗
柵極閾值電壓范圍為 2V-4V
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 13 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | ITO-220S |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 260 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 32.1 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±30 V |
長(zhǎng)度 | 10mm |
寬度 | 4.6mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 30 nC @ 10 V |