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STMicroelectronics 功率 mosfet 利用寬帶隙材料 Advanced 、 innovative properties 。這使得每個(gè)裝置區(qū)域具有卓越的接通電阻和非常好的切換性能、幾乎不受溫度影響。sic 材料的出色熱性能與專(zhuān)有 HiP247 封裝中的器件外殼相結(jié)合、使設(shè)計(jì)人員可以使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形、并顯著提高散熱能力。這些功能使該設(shè)備特別適用于高效率和高功率密度應(yīng)用。

易于驅(qū)動(dòng)
低電容
非常快速且堅(jiān)固的固有主體二極管
切換損耗與相比略有變化溫度
極高的工作溫度能力（ 200 °c ）
導(dǎo)通電阻與之間的差異非常小溫度