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Toshiba TK12J60W,S1VQ(O MOSFET

訂 貨 號：TK12J60W,S1VQ(O      品牌：東芝_Toshiba

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

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公司基本資料信息







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Toshiba TK12J60W,S1VQ(O MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

MOSFET 晶體管，Toshiba


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 11.5 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-3P
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 300 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.7V
最大功率耗散 110 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
典型柵極電荷@Vgs 25 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
寬度 4.5mm
最高工作溫度 +150 °C
長度 15.5mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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