N 溝道 60 V,12 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET 采用 LFPAK33 封裝,標(biāo)準(zhǔn)電平 N 溝道 MOSFET 采用 LFPAK33 (Power33) 封裝,使用 TrenchMOS 技術(shù)。此產(chǎn)品經(jīng)過設(shè)計(jì)符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn),可用于高性能汽車應(yīng)用。
符合 Q101 標(biāo)準(zhǔn)
重復(fù)性耐雪崩等級
由于額定溫度為 175 °C,適用于對熱量要求苛刻的環(huán)境
標(biāo)準(zhǔn)高電平驅(qū)動,在 175 °C 時,柵極 VGS(th) 額定值大于 1 V
12 V 汽車系統(tǒng)
電動機(jī)、燈和電磁閥控制
傳輸控制
超高性能功率開關(guān)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 53 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | LFPAK33, Power33 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 27 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 75 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 2.6mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 24.8 nC @ 10 V |
| 長度 | 3.4mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |