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+比較

Vishay SIHF530STRR-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SIHF530STRR-GE3      品牌:意法半導(dǎo)體_ST

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SIHF530STRR-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 14 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 160 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 88 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
寬度 9.65mm
長(zhǎng)度 10.67mm
典型柵極電荷@Vgs 26 nC @ 10 V
暫無

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