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產(chǎn)品分類

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Fairchild Semiconductor FDFMA2P853 MOSFET

訂 貨 號(hào):FDFMA2P853      品牌:IRC

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

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Fairchild Semiconductor FDFMA2P853 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

P 通道 PowerTrench? MOSFET MOSFET,帶肖特基二極管,F(xiàn)airchild Semiconductor

設(shè)計(jì)用于手機(jī)及其他超便攜式應(yīng)用中的電池充電開關(guān)
獨(dú)立連接的低正向電壓肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)最小的傳導(dǎo)損耗

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 3 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 MLP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 240 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大功率耗散 1.4 W
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
典型柵極電荷@Vgs 4 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 2mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 2mm
暫無

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