Infineon ? 線性場效應(yīng)管是一種革命性的方法、可避免通態(tài)電阻( r ds ( on ))與線性模式功能之間的取舍、即在增強型模式 mosfet 的飽和區(qū)域內(nèi)運行。它提供最先進的溝道 mosfet r ds ( on )以及經(jīng)典平面 mosfet 的寬安全工作區(qū)域。
低 r ds ( on )和寬安全工作區(qū)域的組合 ( soa )
高最大脈沖電流
高連續(xù)脈沖電流
堅固的線性模式操作
低傳導(dǎo)損耗
更高的浪涌電流可實現(xiàn)更快的啟動和更短的啟動 時間
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 105 A |
最大漏源電壓 | 150 V |
封裝類型 | Pg- TO263 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.0083 o |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.9V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |