International Rectifier 的 Infineon 設(shè)計采用先進(jìn) Advanced 處理技術(shù),可在每個硅片區(qū)域?qū)崿F(xiàn)極低的接通電阻。此優(yōu)勢結(jié)合了 ex場 效應(yīng)功率式高功率器件聞名的快速開關(guān)速度和耐震設(shè)備設(shè)計、為設(shè)計人員提供了極其高效和可靠的器件、適用于各種應(yīng)用。
先進(jìn)的工藝技術(shù)
動態(tài) dv/dt 額定值
快速切換
完全雪崩等級
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 16 A |
| 最大漏源電壓 | 110 V |
| 封裝類型 | D-pak 至 252AA |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.000115 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |