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Microchip VP0109N3-G MOSFET

訂貨號：VP0109N3-G 品牌：Microchip

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Microchip VP0109N3-G MOSFET

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Microchip 增強型 (常閉) 晶體管采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和 Supertex 久經(jīng)考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 特別適用于需要極低閾值電壓，高擊穿電壓，高輸入阻抗，低輸入電容和快速切換速度的各種切換和放大應用。

無次級擊穿
低功率驅(qū)動要求
易于并聯(lián)
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩(wěn)定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	250 mA
最大漏源電壓	90 V
封裝類型	TO-92
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	8 Ω
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	3.5V

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