Infineon 設計是一 C7 項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術,符合超級連接( sj )原理,由 Infineon 技術開創。600V cool mos ? C7 系列結合了領先的 sj mosfet 供應商的經驗和高級創新。600V C7 是使用 rds (接通) * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項技術。
能夠反向傳導
低柵極電荷、低輸出電荷
出色的換向堅固性
符合 dec 標準、適用于標準級應用
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 9 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | Pg 到 220 fullpak |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.18 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |