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英飛凌可實現 SIPMOS 小信號晶體管、N 溝道型、增強模式。該器件具有 dv /dt 等級和無鉛鍍層。它具有60 V的 Vds，Rds（接通）最大值是3.5 Ω，ID為0.28 A。它無鹵、P 溝道型增強模式晶體管，廣泛用于高切換應用。它具有雪崩等級和無鹵。

100% 無鉛
最大功耗為 360mW