Infineon P-Channel Power MOSFET 提供設計靈活性和易操作性,以滿足最高性能要求,包括 -12V 系列產品,特別適用于電池保護、極性反接保護、線性電池充電器、負載開關、直流-直流轉換器和低電壓驅動應用。
P 通道
超低導通電阻 RDS(on)
100% 通過崩潰測試
邏輯電平或正常電平
增強型
無鉛電鍍
符合 RoHS 標準
無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標準
屬性 | 數值 |
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通道類型 | P |
最大連續漏極電流 | 300 mA |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | SOT-23-3 |