Infineon 設計是一 7th 項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術,符合超接合( sj )原理,并由 Infineon 技術公司率先開發。
出色的 esd 穩定性 >2kV ( hbm )、適用于所有產品
顯著減少開關和傳導損耗出色的 esd 穩定性 >2kV ( hbm )、適用于所有產品
屬性 | 數值 |
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通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 76 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | Pg 至 247-4-3 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.037. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |