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這款 N 通道 MV MOSFET 采用先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，該工藝內(nèi)置了屏蔽柵極技術(shù)。此過程已經(jīng)過優(yōu)化，可最大程度降低導(dǎo)通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優(yōu)異的切換性能。

屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)
VGS = 10 V、ID = 67 A 時，最大 RDS（接通）= 4.0 mΩ
VGS = 6 V、ID = 33 A 時，最大 RDS（接通）= 8.0 mΩ
比其他 MOSFET 供應(yīng)商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
MSL1 堅固封裝設(shè)計


應(yīng)用：
該產(chǎn)品可通用，適用于許多不同的應(yīng)用。
最終產(chǎn)品：
交流-直流和直流-直流電源