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Infineon IPDD60R080G7XTMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPDD60R080G7XTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPDD60R080G7XTMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 技術引入了雙 dak (ddpack) ,這是首款頂部冷卻表面安裝設備 (smd )封裝,適用于 pc 電源、太陽能、服務器和電信等高功率開關電源應用。現有的高電壓技術 600V cool mos G7 superjunction ( sj )的優勢使凝集與創新的頂部冷卻概念相結合、為高電流硬切換拓撲(如 pfc )提供系統解決方案、為 llc 拓撲提供高端效率解決方案。

提供杰出的 fom rds (接通) x eoss 和 rds (接通) x
創新的頂部冷卻概念
內置 4th 引腳 kelvin 源配置和低寄生源 電感
2 >> 、 000 次循環的 t15000 次循環能力、 符合 MSL1 標準、完全無鉛
實現最高能效
板和半導體的熱去耦可克服熱問題 印刷電路板限制
寄生源電感降低、提高了 e 效率和易用性
支持更高的功率密度解決方案
高品質標準


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 83 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 Pg/hdsop
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 10
最大漏源電阻值 0.08 o
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數目 2
暫無

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