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Infineon MOSFET

Infineon 通孔安裝 N 溝道 MOSFET 是一種新時代的產(chǎn)品，柵極源電壓為 10V 時漏 - 源電阻為 190mohm。MOSFET 具有 20.7A 的連續(xù)漏極電流。它的最大柵極源電壓為 20V ，漏極源電壓為 600V。它的最大功耗為 71W。 MOSFET 的驅(qū)動電壓為 10V。它經(jīng)過優(yōu)化，可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命，而不會影響性能或功能。

特點和優(yōu)勢

? 易于使用
?經(jīng)過現(xiàn)場驗證的 CoolMOS 質(zhì)量
?高效率和功率密度
? 高可靠性
?低柵極電荷 (Qg)
?低特定通態(tài)電阻
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
?卓越的的性能成本
?輸出電容 (Eoss) 在 400V 時具有極低能量存儲

應(yīng)用

?適配器
? PC 電源
?服務(wù)器電源
? 電信

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? JEDEC