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ON Semiconductor MOSFET 漏極?μ V 至?μ V 電源電壓為 60 V ，柵極?Ω 至?μ V 電源電壓為 ±20 V

體積小巧 (5 x 6 mm)，可實現(xiàn)緊湊設計
低 RDS（接通），可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動器損耗
?器件無鉛且符合 RoHS 標準