Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術為廣泛的應用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數校正）、直流－直流轉換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮流器和運動控制。
它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進的 QFET? 工藝技術，Fairchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質因素 (FOM)。
在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 5.5 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | TO-220F |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 2.5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 51000 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 10.16mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 21 nC @ 10 V |
| 寬度 | 4.7mm |
