當 N 通道不適合您的設計時，P 通道 MOSFET 將會特別適合您的設計，我們廣泛的 MOSFET 產品目錄還包括許多 P 通道設備系列，基于 Nexperia 的領先 Trench 技術。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。
12 V，P 通道 Trench MOSFET，P 通道增強模式場效應晶體管 (FET) 采用無引線超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。
Trench MOSFET 技術
無引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝：1.1 ′ 1.0 ′ 0.37 mm
裸露的散熱墊，用于提供極佳的熱傳導
靜電放電 (ESD) 保護 1.5 kV HBM
漏-源通態電阻 RDSon = 59 m?
非常低的柵-源閾值電壓 VGS(th) = -0.68 V，適合便攜式應用
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | -3.2 A |
| 最大漏源電壓 | -12 V |
| 封裝類型 | DFN1010D-3，SOT1215 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 880 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | -1V |
| 最小柵閾值電壓 | -0.4V |
| 最大功率耗散 | 8330 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 8 V |
| 寬度 | 1.05mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| 長度 | 1.15mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 3 |
