Infineon 具有 SiC MOSFET ,以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經濟高效的性能。650 V CoolSiC MOSFET 提供性能,可靠性和易用性的獨特組合。它適用于高溫和惡劣操作,可實現最高效的簡化和經濟部署。MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,可減少對柵極電路的寄生源電感效應,實現更快的切換和更高的效率。
低電容
優化了高電流時的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強的耐雪崩能力
可與標準驅動程序一起使用
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 59 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | PG-TO247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.034 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 5.7V |
晶體管材料 | 硅 |
每片芯片元件數目 | 1 |