ON Semiconductor SiC 電源系列 MOSFET 采用全新技術(shù),與硅相比,可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外,低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。
最高效
更快的操作頻率
功率密度增加
降低的 EMI
系統(tǒng)尺寸減小
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 145 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | D2PAK-7L |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.018. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4.3V |
| 晶體管材料 | SiC |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |