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Infineon IPN70R1K2P7SATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPN70R1K2P7SATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPN70R1K2P7SATMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon mos ?設計是一項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術,它是根據超級連接( sj )原理設計的,由 Infineon 技術公司率先開發的。最新的 cool mos ? P7 是一款經過優化的平臺,專為消費市場中的成本敏感型應用而定制,如充電器、適配器、照明、電視等

產品驗證符合dec 標準
低切換損耗( eoss )集成 esd 保護二極管
極佳的熱行為


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 9.4 A
最大漏源電壓 700 V
封裝類型 PG-SOT223
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 1.2. Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.5V
晶體管材料
每片芯片元件數目 1
暫無

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