the Infineon 600V cool mos P7 超接點( sj ) mosfet 是 600V cool mos P6 系列的后繼產(chǎn)品。它繼續(xù)在設(shè)計過程中兼顧對高效率的需求與易用性。cool mos 7th 系列平臺的杰出 r onxa 和固有的低柵極電荷( q g )可確保其高效率。
600V P7 可實現(xiàn)出色的 fom rds (接通) xeoss 和 rds (接通) xq
≥ 2kV 的 esd 堅固性( hbm 2 類)
集成柵極電阻器電阻器
堅固的體二極管
廣泛的產(chǎn)品組合、采用通孔和表面安裝封裝
提供標(biāo)準(zhǔn)級和工業(yè)級部件
出色的 rds (接通) xqg / rds (接通) xeoss 可實現(xiàn)更高的效率
通過阻止 esd 故障的發(fā)生、在制造環(huán)境中易于使用
集成式設(shè)計可降低 mosfet 振蕩靈敏度
mosfet 適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)?例如 pfc 和 llc
在所見車身二極管的硬換向期間具有出色的堅固 在 llc 拓?fù)渲?br>適用于各種終端應(yīng)用和輸出 權(quán)力
提供適合消費和工業(yè)應(yīng)用的部件
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 78 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | Pg 至 247-4. |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.12 o |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 4 |