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Infineon IPZA60R120P7XKSA1 MOSFET

訂 貨 號:IPZA60R120P7XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPZA60R120P7XKSA1 MOSFET
產品詳細信息

the Infineon 600V cool mos P7 超接點( sj ) mosfet 是 600V cool mos P6 系列的后繼產品。它繼續在設計過程中兼顧對高效率的需求與易用性。cool mos 7th 系列平臺的杰出 r onxa 和固有的低柵極電荷( q g )可確保其高效率。

600V P7 可實現出色的 fom rds (接通) xeoss 和 rds (接通) xq
≥ 2kV 的 esd 堅固性( hbm 2 類)
集成柵極電阻器電阻器
堅固的體二極管
廣泛的產品組合、采用通孔和表面安裝封裝
提供標準級和工業級部件
出色的 rds (接通) xqg / rds (接通) xeoss 可實現更高的效率
通過阻止 esd 故障的發生、在制造環境中易于使用
集成式設計可降低 mosfet 振蕩靈敏度
mosfet 適用于硬開關和諧振開關拓撲 例如 pfc 和 llc
在所見車身二極管的硬換向期間具有出色的堅固 在 llc 拓撲中
適用于各種終端應用和輸出 權力
提供適合消費和工業應用的部件


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 78 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 Pg 至 247-4.
安裝類型 通孔
引腳數目 4
最大漏源電阻值 0.12 o
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數目 4
暫無

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