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Infineon IMZ120R140M1HXKSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IMZ120R140M1HXKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

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Infineon IMZ120R140M1HXKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon coolsic ? 1200 v 、 140 mΩ sic mosfet 采用 TO247 41-4 封裝,基于最先進(jìn)的 trench 半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化可將性能與可靠性完美結(jié)合。與基于硅( si )的傳統(tǒng)開關(guān)(如溝器和 mosfet )相比、 sic mosfet 具有一系列優(yōu)勢(shì)。這些包括 1200 v 開關(guān)中可見的最低柵極電荷和設(shè)備電容水平、內(nèi)部防換向主體二極管無反向恢復(fù)損耗、不受溫度影響的低切換損耗和無閾值通態(tài)特性。

同類最佳的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
基準(zhǔn)高閾值電壓、 vth > 4 v
0V 關(guān)閉柵極電壓、用于輕松簡單的柵極驅(qū)動(dòng)
寬柵 - 源電壓范圍
堅(jiān)固且低損耗主體二極管、額定用于硬換向


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 19 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 Pg - TO247 - 4
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 140 米Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
暫無

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