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Infineon IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPB60R055CFD7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET
產品詳細信息

the Infineon 600V coolmos ? CFD7 superjunction mosfet IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封裝,特別適用于高功率開關電源中的諧振拓撲,例如服務器、電信和 ev 充電站,在那里可以顯著提高效率。作為 CFD2 sj mosfet 系列的后續產品、它與競爭對手相比、具有更低的柵極電荷、更好的關閉行為和高達 69% 的反向恢復電荷。

超快主體二極管
同類杰出的反向恢復充電( qrr )
改進了反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同類杰出的 rds (接通) / 封裝


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 38 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
引腳數目 3
最大漏源電阻值 55 米Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4.5V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數目 1
暫無

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