Infineon IPD30N06S2L13ATMA4 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息
此 Infineon mosfet 具有高電流容量、開關和傳導功率損耗最低的優(yōu)點、可實現(xiàn)最高的熱效率。它經(jīng)過 100% 雪崩測試。
它無鉛
屬性 |
數(shù)值 |
通道類型 |
N |
最大連續(xù)漏極電流 |
30 A |
最大漏源電壓 |
55 V |
封裝類型 |
DPAK (TO-252) |
安裝類型 |
表面貼裝 |
引腳數(shù)目 |
3 |
最大漏源電阻值 |
0.013. Ω |
最大柵閾值電壓 |
2V |
每片芯片元件數(shù)目 |
1 |