Infineon IPD30N06S2L13ATMA4 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息
此 Infineon mosfet 具有高電流容量、開關(guān)和傳導(dǎo)功率損耗最低的優(yōu)點、可實現(xiàn)最高的熱效率。它經(jīng)過 100% 雪崩測試。
它無鉛
| 屬性 |
數(shù)值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續(xù)漏極電流 |
30 A |
| 最大漏源電壓 |
55 V |
| 封裝類型 |
DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 |
3 |
| 最大漏源電阻值 |
0.013. Ω |
| 最大柵閾值電壓 |
2V |
| 每片芯片元件數(shù)目 |
1 |