Taiwan Semiconductor 60V ， 50A ， 28mΩ Ω ， 3 引腳 N 溝道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強型溝道模式。
通過 100% 雪崩測試
快速切換
符合 RoHS
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
53W 最大功耗
柵極閾值電壓范圍介于 1.2V-2.5V 之間
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 50 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 28 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 53 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 5.8mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 28 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.5mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
