半橋 NexFET 電源塊
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 120 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SON |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 1.2 mΩ, 5 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.1V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 12 W |
| 晶體管配置 | 串行 |
| 最大柵源電壓 | +8 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 6.1mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 20 nC @ 4.5 V，8.4 nC @ 4.5 V |
| 寬度 | 5.1mm |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
