Infineon 碳化硅 MOSFET 減少系統復雜性。它可直接從回程控制器驅動。提高效率和減少冷卻工作。支持更高頻率。
非常低的開關損耗;
短路耐受時間 3 μs;
完全可控制 dV/dt;
基準門臨界電壓,VGS(th) = 4.5V;
耐寄生接通,可應用
0V 關閉門電壓;穩定的主體二極管,可用于硬切換;
XT 互連技術,提供同類最佳的熱性能;
封裝彎曲和間隙距離 >6.1mm;
感應引腳,用于優化切換性能
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 18 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | PG-TO263-7 |
安裝類型 | 通孔 |