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Infineon IPD30N06S215ATMA2 MOSFET

訂 貨 號:IPD30N06S215ATMA2      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPD30N06S215ATMA2 MOSFET
產品詳細信息

Infineon mosfet 設計又聞名于“金屬氧化物半導體場效應晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設備。“場效應”代表設備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。

綠色產品(符合 RoHS 標準)
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 標準
用于汽車應用的功率 mosfet


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 30 A
最大漏源電壓 55 V
封裝類型 Pg - TO252 - 3 - 11
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.0147 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數目 1
晶體管材料
暫無

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