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訂 貨 號(hào):TSM6N60CP ROG 品牌:
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

Taiwan Semiconductor 600V , 6A , 1。25Ω Ω , 3 引腳, N 溝道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強(qiáng)溝道模式。
高功率和電流處理能力。
低 RDS (接通) 1.25Ω (最大)
低柵極電荷典型值 @ 20.7nC (典型值)
符合 RoHS
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 89W
柵極閾值電壓范圍為 2V-4V
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 6 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 1.25 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 89 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 5.8mm |
| 長(zhǎng)度 | 6.5mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 20.7 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |