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產(chǎn)品分類

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+比較

安世半導(dǎo)體 BUK9Y59-60E,115 MOSFET

訂 貨 號(hào):BUK9Y59-60E,115      品牌:

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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安世半導(dǎo)體 BUK9Y59-60E,115 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

從驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的車燈到發(fā)動(dòng)機(jī)、車身或底盤應(yīng)用中功率控制的復(fù)雜需求,Nexperia 功率半導(dǎo)體可以解決許多汽車系統(tǒng)的功率問(wèn)題。

由于額定溫度為 175°C,因此 MOSFET 主要應(yīng)用于對(duì)熱量要求苛刻的應(yīng)用環(huán)境:電子助力轉(zhuǎn)向發(fā)動(dòng)機(jī)管理、集成式起動(dòng)器發(fā)電機(jī)傳輸控制、汽車照明制動(dòng) (ABS) 氣候控制

邏輯電平 N 通道 MOSFET 采用 LFPAK56 (Power SO8) 封裝,使用 TrenchMOS 技術(shù)。此產(chǎn)品設(shè)計(jì)用于高性能汽車應(yīng)用。

重復(fù)性耐雪崩等級(jí)
由于額定溫度為 175 °C,適用于對(duì)熱量要求苛刻的環(huán)境
邏輯高電平驅(qū)動(dòng),在 175 °C 時(shí),柵極 VGS(th) 額定值大于 0.5 V
12 V 汽車系統(tǒng)
電動(dòng)機(jī)、燈和電磁閥控制
傳輸控制
超高性能功率開(kāi)關(guān)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 16.7 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 LFPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4 + Tab
最大漏源電阻值 133 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.45V
最小柵閾值電壓 0.5V
最大功率耗散 37 W
晶體管配置
最大柵源電壓 10 V
長(zhǎng)度 5mm
典型柵極電荷@Vgs 6.1 nC @ 5 V
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.1mm
暫無(wú)

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