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產(chǎn)品分類

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+比較

onsemi NVMFS6H800NT1G MOSFET

訂 貨 號(hào):NVMFS6H800NT1G      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NVMFS6H800NT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能??蓾檪?cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。適用于汽車應(yīng)用。

特點(diǎn)
體積小巧 (5 x 6 mm)
低 RDS(接通)
低 QG 和電容
NVMFS6H800NWF - 可潤側(cè)翼選件
支持 PPAP

優(yōu)點(diǎn)
緊湊設(shè)計(jì)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
增強(qiáng)型光學(xué)
檢驗(yàn)

應(yīng)用
開關(guān)電源
電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等)
48V 系統(tǒng)
最終產(chǎn)品
電動(dòng)機(jī)控制
負(fù)載開關(guān)
直流/直流轉(zhuǎn)換器


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 203 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 5
最大漏源電阻值 2.1 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 200 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 6.1mm
典型柵極電荷@Vgs 85 nC @ 10 V
長度 5.1mm
最高工作溫度 +175 °C
暫無

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