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超 FET ? III MOSFET ON Semiconductor 公司全新的高電壓超級結(jié)點(diǎn) (SJ) MOSFET 系列，采用充電平衡技術(shù)，可提供出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)小型化和更高效率。超 FET III FFET ? MOSFET 的主體二極管優(yōu)化反向恢復(fù)性能，可消除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150°C 時為 700 V
典型值 RDS (on) =64m
超低柵極電荷（典型 Qg = 81 nC）
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 722 pF）
這些設(shè)備無鉛
典型應(yīng)用
車載充電器
用于 HEV 的汽車 DC/DC 轉(zhuǎn)換器