從驅動簡單的車燈到發動機、車身或底盤應用中功率控制的復雜需求,Nexperia 功率半導體可以解決許多汽車系統的功率問題。
由于額定溫度為 175°C,因此 MOSFET 主要應用于對熱量要求苛刻的應用環境:電子助力轉向發動機管理、集成式起動器發電機傳輸控制、汽車照明制動 (ABS) 氣候控制
邏輯電平 N 通道增強模式場效應晶體管 (FET),采用塑料封裝,使用 TrenchMOS 技術。此產品設計用于要求嚴格的汽車應用。
由于具有低導通電阻,因此傳導損耗低,適用于邏輯電平柵極驅動源。憑借 175 °C、12 V 和 24 V 額定負載,適用于對熱量要求苛刻的環境。汽車系統、通用電源切換、電動機、燈具和電磁閥
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 184 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | LFPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 40 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.3V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.5V |
| 最大功率耗散 | 85 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 15 V |
| 寬度 | 4.1mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 18 nC @ 5 V |
| 長度 | 5mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |