Infineon 設計用于滿足高電壓 MOSFET 領域不斷增長的消費需求,最新的 950V CoolMOS ? P7 技術專注于低功率 SMPS 市場。與前代產品 900V CoolMOS ? C3 相比, 950V CoolMOS ? P7 系列提供 50V 的阻塞電壓,在效率,熱行為和易用性方面提供卓越的性能。與所有其他 P7 系列成員一樣, 950V CoolMOS ? P7 系列隨附集成齊納二極管 ESD 保護。集成二極管顯著提高了 ESD 的穩定性,從而減少了與 ESD 相關的產量損失并達到卓越的的易用性級別。CoolMOS ? P7 設計采用 3V 杰出 VGS (th) 和僅 ± 0.5V 的窄容差,易于驅動和設計。
3V 的杰出 VGS (th) 和 ±0.5V 的最小 VGS (th) 變化
集成齊納二極管 ESD 保護,高達 2 類 (HBM)
杰出質量和可靠性
屬性 | 數值 |
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通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 6 A |
最大漏源電壓 | 950 V |
封裝類型 | PG-TO 220 FP |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.12. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.5V |
每片芯片元件數目 | 4 |